从19世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后,它几乎改变了一切,甚至人类的思维。直到上世纪60年代开始,硅材料就取代了原有锗材料。硅材料――因其具有耐高温和抗辐射性能较好,特别适宜制作大功率器件的特性而成为应用比较多的一种半导体材料,目前的集成电路半导体器件大多数是用硅材料制造的
现在,我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用,晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化比较快的。
熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。
单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料,随着国内和市场对单晶硅片需求量的快速增加,单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。
单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸(300毫米)及18英寸(450毫米)等。直径越大的圆片,所能刻制的集成电路越多,芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体生长方法的不同,分为直拉法(CZ)、区熔法(FZ)和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材,外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域,广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。目前晶体直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。
由于成本和性能的原因,直拉法(CZ)单晶硅材料应用较广。在IC工业中所用的材料主要是CZ抛光片和外延片。存储器电路通常使用CZ抛光片,因成本较低。逻辑电路一般使用价格较高的外延片,因其在IC制造中有更好的适用性并具有消除Latch-up的能力。
单晶硅也称硅单晶,是电子信息材料中比较基础性材料,属半导体材料类。单晶硅已渗透到国民经济和国防科技中各个领域,当今全球超过2000亿美元的电子通信半导体市场中95%以上的半导体器件及99%以上的集成电路用硅。
多晶硅是由许多硅原子及许多小的晶粒组合而成的硅晶体。由于各个晶粒的排列方向彼此不同,其中有大量的缺陷。多晶硅一般呈深银灰色,不透明,具有金属光泽,性脆,常温下不活泼。
多晶硅是用金属硅(工业硅)经化学反应、提纯,再还原得到的高纯度材料(也叫还原硅)。目前世界上多晶硅生产的方法主要有改良西门子法(SiHCl3)、新硅烷法(SiH4)、SiH2Cl2热分解法、SiCl4法等多晶硅生产工艺。
当前全球多晶硅的市场状况是:从上来看,早几年多晶硅还处于供过于求的局面,2004年开始,由于太阳能产业的发展,太阳能用多晶硅供不应求,导致全球多晶硅供应紧张。在国内,我国多晶硅生产长期不能满足国内市场需要,严重依赖于进口。
设备处理工艺
原水箱→原水提升泵→石英砂过滤器→活性炭过滤器→软水器→精密过滤器→一级高压泵→一级反渗透→级间水箱→二级高压泵→中间水箱→EDI提升泵→微孔过滤器→EDI系统→EDI水箱→抛光混床→用水点
设备处力:按客户要求设计
出水指标:≥18.2MΩ.CM
产水用途
在太阳能电池、单晶硅多晶硅硅片硅材料清洗、LED、LCD、光电光学行业领域,中天恒远水处理设备公司拥有多年的LED、LCD、光电光学行业脱盐水和超纯水设备的设计、研发、调试和售后服务的成功经验。
在设备设计上,采用成熟、可靠、先进、自动化程度高的两级RO+EDI水处理工艺,确保处理后的超纯水水质符合要求,水利用率高,运行可靠,经济合理。关键设备及材料均采用目前先进可靠产品,采用PLC+触摸屏控制,全套系统自动化程度高,系统稳定性高。大大节省人力成本和维护成本。使设备与其它同类产品相比较,具有更高的性价比和设备可靠性。
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